MUN5235DW1T1和SMUN5235DW1T3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5235DW1T1 SMUN5235DW1T3G SMUN5235DW1T1G

描述 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsMUN5235DW1: 双 NPN 双极数字晶体管 (BRT)MUN5235DW1 系列 50 V 100 mA 双 NPN 偏置 电阻 晶体管 - SOT-363

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 6

封装 SOT-363 SOT-363 SC-70-6

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 0.385 W 360 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V

额定功率(Max) 250 mW 187 mW 187 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 385 mW 385 mW

额定电压(DC) 50.0 V - -

额定电流 100 mA - -

封装 SOT-363 SOT-363 SC-70-6

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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