对比图
型号 IRLML0030TRPBF IRLML2030TRPBF ZXMN3B01FTA
描述 INFINEON IRLML0030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 30 V, 0.022 ohm, 10 V, 1.7 VINFINEON IRLML2030TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 30 V, 0.08 ohm, 10 V, 1.7 VZXMN3B01F 系列 N 沟道 30 V 0.15 Ohm 功率 MOSFET 表面贴装 - SOT-23-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定功率 1.3 W 1.3 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.022 Ω 0.08 Ω 0.15 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.3 W 1.3 W 625 mW
阈值电压 1.7 V 1.7 V 700 mV
输入电容 382 pF 110 pF 258 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 5.3A 2.7A 2.00 A
上升时间 4.4 ns 3.3 ns 3.98 ns
输入电容(Ciss) 382pF @15V(Vds) 110pF @15V(Vds) 258pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 1.3 W 625 mW
下降时间 4.4 ns 2.9 ns 5.27 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.3W (Ta) 1.3W (Ta) 806 mW
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 2.00 A
通道数 - - 1
栅电荷 - - 2.93 nC
漏源击穿电压 - - 30 V
栅源击穿电压 - - ±12.0 V
长度 3.04 mm 3.04 mm 3.04 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.4 mm
高度 1.02 mm 1.02 mm 1.02 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - - No SVHC