对比图
型号 CSD19501KCS CSD19506KCS CSD19502Q5B
描述 80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19501KCS80V、N 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFET，CSD19506KCSN 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD19502Q5B
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 8
封装 TO-220-3 TO-220-3 VSON-Clip-8
针脚数 3 3 8
漏源极电阻 0.0055 Ω 0.002 Ω 0.0034 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 217 W 375 W 3.2 W
阈值电压 2.6 V 2.5 V 2.7 V
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 100A 150A 100A
上升时间 15 ns 11 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 3980pF @40V(Vds) 9380pF @40V(Vds) 4870pF @40V(Vds)
下降时间 5 ns 10 ns 7 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 217W (Tc) 375W (Tc) 3.1W (Ta), 195W (Tc)
额定功率(Max) 217 W - -
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 4.7 mm -
高度 - 16.51 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 VSON-Clip-8
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15