IRLR2705TRPBF和STD20NF06LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR2705TRPBF STD20NF06LT4 STD15NF10T4

描述 N沟道 55V 28ASTMICROELECTRONICS  STD20NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 100 V

额定电流 28.0 A 24.0 A 23.0 A

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.065 Ω 0.032 Ω 0.065 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 68 W 60 W 70 W

阈值电压 - 2.5 V 3 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 100 V

漏源击穿电压 55 V 60.0 V 100 V

栅源击穿电压 - ±18.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 28.0 A 24.0 A 23.0 A

上升时间 100 ns 50 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 880pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 68 W 60 W 70 W

下降时间 - 12 ns 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 60W (Tc) 70W (Tc)

通道数 - - 1

产品系列 IRLR2705 - -

输入电容 880pF @25V - -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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