对比图
型号 MBT3906DW1T1 MBT3906DW1T1G MBT3906DW1T2G
描述 双路通用晶体管 Dual General Purpose TransistorON SEMICONDUCTOR MBT3906DW1T1G 双极晶体管阵列, 通用, PNP, -40 V, 150 mW, -200 mA, 60 hFE, SOT-363双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual PNP Bipolar Transistor
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 6 6
封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363-6
频率 - 250 MHz 250 MHz
额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -
额定电流 -200 mA -200 mA -
额定功率 - 150 mW -
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
针脚数 - 6 -
极性 PNP PNP, P-Channel PNP
耗散功率 150 mW 150 mW 0.15 W
击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V
集电极最大允许电流 0.2A 0.2A 0.2A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V 100 @10mA, 1V
额定功率(Max) 150 mW 150 mW 150 mW
直流电流增益(hFE) - 60 -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 150 mW 150 mW
最大电流放大倍数(hFE) - - 300
增益频宽积 250 MHz - -
长度 2 mm 2.2 mm -
宽度 1.25 mm 1.35 mm -
高度 0.9 mm 1 mm -
封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -