对比图
型号 FQP19N20C STP5NK100Z FQP19N20C_F080
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP19N20C. 晶体管, MOSFET, N沟道, 19 A, 200 V, 140 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VMOSFET Trans MOS N-Ch 200V 19A 3Pin 3+Tab
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
通道数 - 1 1
漏源极电阻 140 mΩ 3.7 Ω 150 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 139 W 125 W 139 W
漏源极电压(Vds) 200 V 1 kV 200 V
漏源击穿电压 200 V 1.00 kV 200 V
连续漏极电流(Ids) 19.0 A 3.50 A 19A
上升时间 150 ns 7.7 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 1080pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 1080pF @25V(Vds)
下降时间 115 ns 19 ns 115 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 139 W 125W (Tc) 139W (Tc)
额定电压(DC) 200 V 1.00 kV -
额定电流 19.0 A 3.50 A -
针脚数 3 3 -
阈值电压 4 V 3.75 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
额定功率(Max) 139 W 125 W -
额定功率 - 125 W -
长度 10.1 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 16.3 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 NLR - -