对比图
型号 FQA7N90 STD60NF06T4 STD6N95K5
描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 900 V - -
额定电流 7.40 A - -
漏源极电阻 1.55 Ω 0.014 Ω 1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 198W (Tc) 110 W 90 W
漏源极电压(Vds) 900 V 60 V 950 V
漏源击穿电压 900 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 7.40 A 60.0 A 9A
输入电容(Ciss) 2280pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 220 W 110 W 90 W
耗散功率(Max) 198W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc)
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 4 V
上升时间 - 108 ns 12 ns
下降时间 - 20 ns 21 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
输入电容 - - 450 pF
封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.6 mm -
宽度 - 6.2 mm -
高度 - 2.4 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99