对比图
型号 FCPF20N60 STP20NM60FP STF22NM60N
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STP20NM60FP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 250 mohm, 30 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STF22NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 650 V -
额定电流 20.0 A 20.0 A -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 150 mΩ 0.25 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 39 W 45 W 30 W
阈值电压 5 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 80.0 A -
上升时间 140 ns 20 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds) 1300pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 39 W 45 W 30 W
下降时间 65 ns 11 ns 38 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 39 W 45W (Tc) 30W (Tc)
输入电容 3.08 nF - -
栅电荷 98.0 nC - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
长度 10.16 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.19 mm 9.3 mm 16.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99