L6386D和L6386ED

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 L6386D L6386ED L6386E

描述 高电压高侧和低侧驱动器 HIGH-VOLTAGE HIGH AND LOW SIDE DRIVERSTMICROELECTRONICS  L6386ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.1V至17V电源, 650mA输出, 110ns延迟, SOIC-14L6386 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-14

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 14 14 14

封装 SOIC-14 SOIC-14 PDIP-14

电源电压(DC) 17.0V (max) 9.10V (min) -

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 750 mW 0.75 W 750 mW

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 150 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -45 ℃ -45 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

输出电流(Max) - 0.65 A 0.65 A

电源电压 - 17 VDC 17 V

频率 - 400 kHz -

额定功率 - 750 mW -

输出电压 - 580 V -

输出电流 - 400 mA -

通道数 - 2 -

针脚数 - 14 -

电源电压(Max) - 17 V -

电源电压(Min) - 9.1 V -

封装 SOIC-14 SOIC-14 PDIP-14

长度 - 8.75 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.65 mm -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Each Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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