对比图
型号 PDTC114YT,215 SMMUN2214LT1G MUN5214T1G
描述 NXP PDTC114YT,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 4.7 电阻比率, SOT-23双电阻器数字 NPN 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。ON SEMICONDUCTOR MUN5214T1G 晶体管 双极预偏置/数字, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率, SC-70 新
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-70-3
额定电压(DC) - - 50.0 V
额定电流 - - 100 mA
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 0.25 W 0.4 W 0.31 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 100 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - - 80
额定功率(Max) 250 mW 246 mW 202 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 250 mW 400 mW 310 mW
长度 3 mm 3.04 mm 2.1 mm
宽度 1.4 mm 1.4 mm 1.24 mm
高度 1 mm 1.01 mm 0.85 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-70-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - EAR99 EAR99