L6385E和L6385ED

对比图

型号 L6385E L6385ED L6385ED013TR

描述 STMICROELECTRONICS  L6385E  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, DIP-8STMICROELECTRONICS  L6385ED  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, -0.3V至17V电源, 650mA输出, 105ns延迟, SOIC-8L6385 系列 单 400 mA 125 Ω 高压 高压侧和低压侧 驱动器 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 400 kHz 400 kHz 400 kHz

电源电压(DC) -300 mV (min) -300 mV (min) -

额定功率 750 mW 750 mW 750 mW

上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns

输出接口数 2 2 2

输出电压 580 V 580 V 580 V

输出电流 400 mA 400 mA 400 mA

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 0.75 W 750 mW 0.75 W

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

下降时间 30 ns 30 ns 30 ns

下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns

上升时间(Max) 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -45 ℃ -45 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW

电源电压 17 V 17 V 17 V

电源电压(Max) 17 V 17 V 17 V

电源电压(Min) 0.3 V 0.3 V -

输出电流(Max) - - 0.65 A

长度 10.92 mm 5 mm -

宽度 6.6 mm 4 mm -

高度 3.32 mm 1.25 mm -

封装 DIP-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR