对比图
型号 IRL1404ZSPBF STB120N4LF6 STB200NF04T4
描述 N沟道 40V 75ASTMICROELECTRONICS STB120N4LF6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3100 µohm, 10 V, 1 VN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
漏源极电阻 5.9 mΩ 0.0031 Ω 3.70 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 230 W 110 W 310000 mW
产品系列 IRL1404ZS - -
阈值电压 2.7 V 1 V -
输入电容 5080pF @25V - -
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 mA 80A 120 A
输入电容(Ciss) 5080pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 200 W 110 W 310 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
上升时间 - 95 ns 320 ns
下降时间 - 45 ns 120 ns
耗散功率(Max) - 110W (Tc) 310000 mW
额定电压(DC) - - 40.0 V
额定电流 - - 120 A
漏源击穿电压 - - 40.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.67 mm - 10.4 mm
高度 4.83 mm - 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
宽度 - - 9.35 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/12/17 - -