对比图
型号 PHK12NQ03LT PHK12NQ03LT,518 STS12NH3LL
描述 N沟道的TrenchMOS ？逻辑电平FET N-channel TrenchMOS?? logic level FETPHK 系列 30 V 14 mΩ 2.5 W N沟道 TrenchMOS 逻辑电平 FET - SOT-96-1N沟道30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO- 8超低栅极电荷的STripFET ™功率MOSFET N-channel 30 V - 0.008 Ω - 12 A - SO-8 ultra low gate charge STripFET™ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
漏源极电阻 0.014 Ω 0.0089 Ω 8.00 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 2 V 2 V -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 11.8 A 11.8 A 12.0 A
上升时间 - 11.7 ns 32 ns
输入电容(Ciss) 1335pF @16V(Vds) 1335pF @16V(Vds) 965pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.7 W
下降时间 - 19 ns 8.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2500 mW 2.7W (Tc)
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 12.0 A
漏源击穿电压 - - 30.0 V
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.45 mm 1.65 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
REACH SVHC标准 No SVHC - -