AON6718和IPB034N03LGATMA1

对比图

型号 AON6718 IPB034N03LGATMA1 IPB05N03LB

描述 DFN N-CH 30V 80AINFINEON  IPB034N03LGATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 VOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 3 -

封装 DFN-8 TO-263 TO-263-3-2

额定功率 - 94 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0028 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 - 94 W 94W (Tc)

阈值电压 - 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80.0 A

上升时间 10.7 ns 6.4 ns -

输入电容(Ciss) 3719pF @15V(Vds) 4000pF @15V(Vds) 3209pF @15V(Vds)

下降时间 12.5 ns 5.4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.1W (Ta), 83W (Tc) 94 W 94W (Tc)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 80.0 A

输入电容 - - 3.21 nF

栅电荷 - - 25.0 nC

长度 - 10.31 mm -

宽度 - 9.45 mm -

高度 - 4.57 mm -

封装 DFN-8 TO-263 TO-263-3-2

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -