对比图
型号 FJX4006RTF MMUN2111LT1G MUN5111T1G
描述 PNP外延硅晶体管与偏置电阻 PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias ResistorON SEMICONDUCTOR MMUN2111LT1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23ON SEMICONDUCTOR MUN5111T1G 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-323
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-323-3 SOT-23-3 SC-70-3
额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V
额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
极性 PNP PNP PNP
耗散功率 0.2 W 0.4 W 0.31 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA
最小电流放大倍数(hFE) 68 @5mA, 5V 35 @5mA, 10V 35 @5mA, 10V
额定功率(Max) 200 mW 246 mW 202 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200 mW 400 mW 297 mW
增益带宽 200 MHz - -
额定功率 - 246 mW -
最大电流放大倍数(hFE) - 35 -
长度 - 2.9 mm 2.2 mm
宽度 - 1.3 mm 1.35 mm
高度 0.9 mm 0.94 mm 0.9 mm
封装 SOT-323-3 SOT-23-3 SC-70-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99