对比图
型号 IPB05N03LB STD100N3LF3 IPB034N03LGATMA1
描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorN沟道30 V ， 0.0045 Ω ， 80 A， DPAK平面的STripFET ？二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFETINFINEON IPB034N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3-2 TO-252-3 TO-263
额定功率 - - 94 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.0028 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 94W (Tc) 110 W 94 W
阈值电压 - - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 80A
上升时间 - 205 ns 6.4 ns
输入电容(Ciss) 3209pF @15V(Vds) 2060pF @25V(Vds) 4000pF @15V(Vds)
下降时间 - 35 ns 5.4 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 94W (Tc) 110W (Tc) 94 W
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 80.0 A - -
输入电容 3.21 nF - -
栅电荷 25.0 nC - -
通道数 - 1 -
额定功率(Max) - 110 W -
长度 - - 10.31 mm
宽度 - 6.2 mm 9.45 mm
高度 - - 4.57 mm
封装 TO-263-3-2 TO-252-3 TO-263
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17