MMBZ15VALT3G和MMBZ15VDLT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBZ15VALT3G MMBZ15VDLT1G SZMMBZ15VALT3G

描述 24和40瓦的峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 24 and 40 Watt Peak Power Zener Transient Voltage SuppressorsON SEMICONDUCTOR  MMBZ15VDLT1G...  单管二极管 齐纳, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 引脚, 150 °C40W 双齐纳瞬态电压抑制器,ON SemiconductorSOT-23 双共阳极齐纳,用于 ESD 防护。 旨在用于电压和 ESD 敏感设备,如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备和其他应用。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) 15.0 V 15.0 V -

额定功率 40.0 W 40.0 W -

耗散功率 300 mW 225 mW 300 mW

钳位电压 21 V 21.2 V 21 V

测试电流 1 mA 1 mA 1 mA

最大反向击穿电压 15.75 V 15.8 V 15.75 V

脉冲峰值功率 40 W 40 W 40 W

最小反向击穿电压 14.25 V 14.3 V 14.25 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

工作电压 - 12.8 V 12 V

额定电流 - 1.00 A -

击穿电压 - 14.3 V 15 V

针脚数 - 3 -

稳压值 - 15 V -

击穿电压 - 14.3 V -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3.04 mm 3.04 mm

宽度 - 1.4 mm 1.40 mm

高度 - 0.94 mm 1.01 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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