FQD2N60CTF和STD2HNK60Z

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD2N60CTF STD2HNK60Z STD3NK60ZT4

描述 N沟道MOSFET QFET® N-Channel QFET® MOSFETN沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD3NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 45000 mW 45 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

上升时间 25 ns 30 ns 14 ns

输入电容(Ciss) 235pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 45 W 45 W

下降时间 28 ns 50 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 1.90 A - 2.40 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 4.7 Ω - 3.3 Ω

阈值电压 4 V - 3.75 V

漏源击穿电压 600 V - 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.90 mA - 2.40 A

通道数 1 - -

输入电容 235 pF - -

栅电荷 12.0 nC - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - 6.6 mm

宽度 6.22 mm - 6.2 mm

高度 2.39 mm - 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台