对比图
型号 FQD2N60CTF STD2HNK60Z STD3NK60ZT4
描述 N沟道MOSFET QFET® N-Channel QFET® MOSFETN沟道600V - 4.4ヘ - 2A - TO- 92 / TO- 220FP / DPAK / IPAK齐纳保护SuperMESH⑩功率MOSFET N-channel 600V - 4.4ヘ - 2A - TO-92/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-protected SuperMESH⑩ Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 45000 mW 45 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 25 ns 30 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 235pF @25V(Vds) 280pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 45 W 45 W
下降时间 28 ns 50 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 44W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 1.90 A - 2.40 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 4.7 Ω - 3.3 Ω
阈值电压 4 V - 3.75 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.90 mA - 2.40 A
通道数 1 - -
输入电容 235 pF - -
栅电荷 12.0 nC - -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - 6.6 mm
宽度 6.22 mm - 6.2 mm
高度 2.39 mm - 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99