对比图
型号 STW26NM60N STW45NM50FD STW45NM50
描述 STMICROELECTRONICS STW26NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 VN沟道500 V， 0.07 Ω ， 45 A， TO- 247 FDmesh ™功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500 V, 0.07 Ω, 45 A, TO-247 FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode)STMICROELECTRONICS STW45NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 550 V, 100 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.135 Ω 0.1 Ω 0.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 140 W 417 W 417 W
阈值电压 3 V 4 V 4 V
输入电容 1800 pF - -
漏源极电压(Vds) 600 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 20A 45.0 A 45.0 A
上升时间 25 ns 107.5 ns 107.5 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @50V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 140 W 417 W 417 W
下降时间 50 ns 87.7 ns 87.7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 417W (Tc) 417W (Tc)
额定电压(DC) - 500 V 500 V
额定电流 - 45.0 A 45.0 A
额定功率 - - 390 W
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
漏源击穿电压 - 500 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 15.75 mm 15.75 mm 15.75 mm
宽度 5.15 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 20.15 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
香港进出口证 NLR - -
ECCN代码 - - EAR99