对比图
型号 SI4943CDY-T1-GE3 SI4963BDY-T1-E3 SI4943BDY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4943CDY-T1-GE3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -8 A, -20 V, 0.0275 ohm, -4.5 V, -1 VVISHAY SI4963BDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -20 V, 0.025 ohm, -2.5 V, -1.4 VTrans MOSFET P-CH 20V 6.3A 8Pin SOIC N T/R
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.0275 Ω 0.025 Ω 0.019 Ω
极性 Dual P-Channel P-Channel, Dual P-Channel Dual P-Channel
耗散功率 3.1 W 1.1 W 1.1 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
漏源极电压(Vds) - -20.0 V -20.0 V
连续漏极电流(Ids) - 6.50 A -8.40 A
热阻 - 91℃/W (RθJA) -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 1100 mW -
长度 4.9 mm 5 mm -
宽度 3.9 mm - -
高度 1.75 mm 1.55 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC
工作温度 -50℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Exempt
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -