SI4963BDY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.025 Ω
极性 P-Channel, Dual P-Channel
耗散功率 1.1 W
漏源极电压Vds -20.0 V
连续漏极电流Ids 6.50 A
热阻 91℃/W RθJA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1100 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 5 mm
高度 1.55 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买SI4963BDY-T1-E3
型号： SI4963BDY-T1-E3
描述：VISHAY SI4963BDY-T1-E3 双路场效应管, MOSFET, 双P沟道, -4.9 A, -20 V, 0.025 ohm, -2.5 V, -1.4 V
替代型号SI4963BDY-T1-E3
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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