对比图
型号 FQPF2N80 STD18N55M5 STD15NF10T4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF2N80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 800 V, 6.3 ohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 800 V - 100 V
额定电流 1.50 A - 23.0 A
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 6.3 Ω 0.18 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 35 W 90 W 70 W
阈值电压 5 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 550 V 100 V
漏源击穿电压 800 V 550 V 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.50 A 16A 23.0 A
上升时间 30 ns 9.5 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 35 W 90 W 70 W
下降时间 28 ns 13 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 35W (Tc) 110W (Tc) 70W (Tc)
长度 10.16 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 4.7 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 9.19 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99