对比图
型号 STB12NM50FD-1 STP14NM50N STP12NM50
描述 N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET (with fast diode)STP14NM50N 系列 N 沟道 500 V 0.32 Ohm MDmesh II 功率 MOSFet - TO-220-3N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 I2PAK TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 0.28 Ω 0.35 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 90 W 160 W
阈值电压 - 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 12A 12A 12.0 A
上升时间 - 9 ns 10 ns
输入电容(Ciss) - 816pF @50V(Vds) 1000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 90 W 160 W
下降时间 - 32 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 90W (Tc) 160W (Tc)
额定电压(DC) - - 500 V
额定电流 - - 12.0 A
额定功率 - - 160 W
针脚数 - - 3
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 15.75 mm 9.15 mm
封装 I2PAK TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99