对比图
型号 BSC152N10NSFGATMA1 FDMS86150 BSC160N10NS3GATMA1
描述 TDSON N-CH 100V 9.4APowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。INFINEON BSC160N10NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 42 A, 100 V, 0.0139 ohm, 10 V, 2.7 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 Power-33-8 PG-TDSON-8
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 114W (Tc) 2.7 W 60 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 9.4A 16A 8.8A
上升时间 24 ns 8.3 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 4065pF @50V(Vds) 1300pF @50V(Vds)
下降时间 6 ns 6 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 114W (Tc) 2.7W (Ta), 156W (Tc) 60W (Tc)
额定功率(Max) - 2.7 W -
额定功率 - - 60 W
针脚数 - - 8
漏源极电阻 - - 0.0139 Ω
阈值电压 - - 2.7 V
输入电容 - - 1300 pF
封装 PG-TDSON-8 Power-33-8 PG-TDSON-8
长度 - 5.1 mm 5.35 mm
宽度 - 6.25 mm 6.35 mm
高度 - 1.05 mm 1.1 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17