对比图
型号 KSH31CTF MJD31CTF MJD31CT4G
描述 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR MJD31CT4G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 100 V, 3 MHz, 15 W, 3 A, 10 hFE
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
频率 3 MHz 3 MHz 3 MHz
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 3.00 A 3.00 A 3.00 A
针脚数 - 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1.56 W 1.56 W 15 W
增益频宽积 - 3 MHz 3 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
集电极最大允许电流 3A 3A 3A
最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V
额定功率(Max) 1.56 W 1.56 W 1.56 W
直流电流增益(hFE) 25 10 10
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1560 mW 15 W 1560 mW
集电极击穿电压 100 V 100 V -
长度 6.6 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.1 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.3 mm 2.3 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99