BC856BDW1T1G和BC856S,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856BDW1T1G BC856S,115 BC856BDW1T1

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC856BDW1T1G  双极晶体管阵列, 通用, 双PNP, -65 V, 380 mW, -100 mA, 220 hFE, SOT-363NXP  BC856S,115  双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 220 mW, -100 mA, 110 hFE, SOT-363双路通用晶体管 Dual General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 -

封装 SC-70-6 TSSOP-6 SC-70-6

频率 100 MHz 100 MHz -

额定电压(DC) -65.0 V - -65.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

针脚数 6 6 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 380 mW 220 mW 380 mW

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 380 mW 300 mW 380 mW

直流电流增益(hFE) 220 110 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 380 mW 400 mW -

最大电流放大倍数(hFE) - 110 @2mA, 5V -

长度 2 mm - 2 mm

宽度 1.25 mm 1.35 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm - 0.9 mm

封装 SC-70-6 TSSOP-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 ECL99 -

香港进出口证 - - NLR

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