对比图
型号 FDD6606 ISL9N306AD3ST FDD8896
描述 30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET 30V ， 50A ， 6mз N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs 30V, 50A, 6mзFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8896 晶体管, MOSFET, N沟道, 94 A, 30 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 75.0 A - 94.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 9.50 mΩ 0.0047 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 71 W 125 W 80 W
阈值电压 - - 2.5 V
输入电容 - - 2.52 nF
栅电荷 - - 46.0 nC
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75A 50.0 A 94.0 A
上升时间 12 ns 70 ns 106 ns
输入电容(Ciss) 2400pF @15V(Vds) - 2525pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.6 W - 80 W
下降时间 18 ns 30 ns 41 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 71W (Tc) - 80W (Tc)
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99