对比图
型号 FDS3590 STS4NF100 PHK12NQ10T,518
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS3590 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 80 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 VN沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFETSO N-CH 100V 11.6A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8
额定电压(DC) 80.0 V 100 V -
额定电流 6.50 A 4.00 A -
通道数 1 - -
针脚数 8 - -
漏源极电阻 0.032 Ω 65.0 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 8.9 W
阈值电压 4 V - -
输入电容 1.18 nF - -
栅电荷 25.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 80 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 80.0 V 100 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.50 A 4.00 A 11.6 A
上升时间 8 ns 45 ns 21 ns
输入电容(Ciss) 1180pF @40V(Vds) 870pF @25V(Vds) 1965pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 2.5 W -
下降时间 12 ns 17 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 8.9W (Tc)
封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -