对比图
型号 SPD04N50C3ATMA1 SPD06N60C3BTMA1 SPD04N50C3
描述 Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3INFINEON SPD04N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 560 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) - 650 V 560 V
额定电流 - 6.20 A 4.50 A
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 74 W 50 W
输入电容 - 620 pF -
栅电荷 - 31.0 nC -
漏源极电压(Vds) 500 V 650 V 560 V
连续漏极电流(Ids) 4.5A 6.20 A 4.50 A
上升时间 5 ns 12 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 470pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds) 470pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 74 W 50 W
下降时间 10 ns 10 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50W (Tc) 74W (Tc) 50W (Tc)
漏源极电阻 0.85 Ω - 0.85 Ω
阈值电压 3 V - 3 V
额定功率 - - 42 W
针脚数 - - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm - 6.22 mm
高度 2.41 mm - 2.41 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17