对比图
型号 FQPF10N60C STD60NF06T4 STP10NK60ZFP
描述 600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP10NK60ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.65 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 9.50 A - 10.0 A
漏源极电阻 730 mΩ 0.014 Ω 0.65 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 50 W 110 W 35 W
漏源极电压(Vds) 600 V 60 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 60.0 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.50 A 60.0 A 10.0 A
输入电容(Ciss) 2040pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 1370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 50 W 110 W 35 W
耗散功率(Max) 50W (Tc) 110W (Tc) 35W (Tc)
额定功率 - - 35 W
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 3.75 V
输入电容 - - 1370 pF
上升时间 - 108 ns 20 ns
下降时间 - 20 ns 30 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220-3
长度 - 6.6 mm 10.4 mm
宽度 - 6.2 mm 4.6 mm
高度 - 2.4 mm 9.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -