对比图
型号 IRF9Z34NPBF PHD20N06T,118 IRF9Z24PBF
描述 P 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 55V 18AVISHAY IRF9Z24PBF. 晶体管, MOSFET, P沟道, 9.7 A, -60 V, 280 mohm, -10 V, -4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220
额定功率 68 W - 60 W
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.1 Ω - 0.28 Ω
极性 P-Channel N-CH P-Channel
耗散功率 56 W 51 W 60 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 19A 18A -11.0 A
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
输入电容 620 pF - -
上升时间 55 ns - -
输入电容(Ciss) 620pF @25V(Vds) 422pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 68 W 51 W -
下降时间 41 ns - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 68W (Tc) 51W (Tc) -
封装 TO-220-3 TO-252-3 TO-220
长度 10.54 mm - -
宽度 4.69 mm - -
高度 8.77 mm - -
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
产品生命周期 Active Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -