对比图
型号 MMBTH10LT1 MMBTH10LT3G MMBTH10LT1G
描述 VHF / UHF晶体管（ NPN硅） VHF/UHF Transistor (NPN Silicon)ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管ON SEMICONDUCTOR MMBTH10LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, 60 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 25.0 V - 25.0 V
额定电流 4.00 mA - 4.00 mA
极性 N-Channel NPN NPN
耗散功率 225 mW 225 mW 225 mW
击穿电压(集电极-发射极) 25 V 25 V 25 V
最小电流放大倍数(hFE) 60 @4mA, 10V 60 60 @4mA, 10V
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
增益频宽积 - 650 MHz -
频率 - - 650 MHz
针脚数 - - 3
直流电流增益(hFE) - - 60
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
长度 - 3.04 mm 3.04 mm
宽度 - 2.64 mm 1.4 mm
高度 - 1.11 mm 1.01 mm
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99