对比图
型号 MJD112G MJD112T4G MJD112RLG
描述 NPN 复合晶体管，On Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR MJD112T4G. 达林顿晶体管, NPN, 100V, D-PAK互补达林顿功率晶体管 Complementary Darlington Power Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 2.00 A 2.00 A 2.00 A
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free
输出电压 100 V - -
针脚数 3 3 -
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 1.75 W 20 W 20 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
热阻 71.4℃/W (RθJA) - -
集电极最大允许电流 2A 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 1000 @2A, 3V 1000 @2A, 3V
最大电流放大倍数(hFE) 12000 12000 12000
额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) 12000 12 12000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
增益带宽 25MHz (Min) 25MHz (Min) 25MHz (Min)
耗散功率(Max) 20 W 1750 mW 1750 mW
输入电压 5 V - -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.38 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -