IPI65R420CFD和IPI65R420CFDXKSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPI65R420CFD IPI65R420CFDXKSA1 SPI11N60CFDHKSA1

描述 Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPI65R420CFDXKSA1, 8.7 A, Vds=700 V, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装TO-262 N-CH 600V 11A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1

极性 N-CH N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 8.7A 8.7A 11A

上升时间 7 ns 7 ns 18 ns

输入电容(Ciss) 870pF @100V(Vds) 870pF @100V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 83.3 W - -

下降时间 8 ns 8 ns 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83.3 W 83.3W (Tc) 125W (Tc)

额定功率 - 83.3 W -

耗散功率 - 83.3W (Tc) 125W (Tc)

长度 10.36 mm 10.2 mm -

宽度 4.57 mm 4.5 mm -

高度 9.45 mm 9.45 mm -

封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-262-3-1

产品生命周期 Obsolete Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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