对比图
型号 FDS6680A STS11NF30L SI4174DY-T1-GE3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6680A 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 2 VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsVISHAY SI4174DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 30 V, 7.8 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0095 Ω 0.0085 Ω 0.0078 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
阈值电压 2 V 1 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 5 ns 39 ns 12 ns
下降时间 15 ns 16 ns 9 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 12.5 A 11.0 A -
额定功率 - 2.5 W -
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±18.0 V -
连续漏极电流(Ids) 12.5 A 11.0 A -
输入电容(Ciss) 1620pF @15V(Vds) 1440pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 1 W 2.5 W -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2500 mW -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.25 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Unknown Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -