对比图
型号 FQP33N10 STP55NF06 STP30NF10
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP33N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 52 mohm, 10 V, 4 VMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP30NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 60.0 V 100 V
额定电流 33.0 A 50.0 A 35.0 A
额定功率 - 110 W 115 W
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.052 Ω 0.015 Ω 0.045 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 127 W 30 W 115 W
阈值电压 4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 60.0 V 100 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 33.0 A 50.0 A 35.0 A
上升时间 195 ns 50 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1180pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 127 W 110 W 115 W
下降时间 110 ns 15 ns 10 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 127 W 110W (Tc) 115W (Tc)
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.83 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -