IDT04S60C和SDT06S60

对比图

型号 IDT04S60C SDT06S60 IDH04S60C

描述 第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky Diode2ndGeneration的thinQ ！ TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220 TO-220-2 TO-220-2

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 4.00 A 6.00 A -

输出电流 ≤4.00 A - -

正向电压 1.7 V 1.7V @6A 1.7 V

极性 Standard - -

正向电流 4 A 6 A 4 A

最大正向浪涌电流（Ifsm） 32 A 21.5 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

反向恢复时间 - 0 ns -

正向电压(Max) - 1.7V @6A -

正向电流(Max) - 6 A -

工作结温(Max) - 175 ℃ -

耗散功率(Max) - 57600 mW -

额定功率 - - 42 W

负载电流 - - 4 A

耗散功率 - - 42 W

长度 9.9 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 9.2 mm - -

封装 TO-220 TO-220-2 TO-220-2

工作温度 55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ 55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 Contains SVHC Contains SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2014/12/17 -