IDH04S60C和IDT04S60C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH04S60C IDT04S60C IDH06S60C

描述 2ndGeneration的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 TO-220-2 TO-220 TO-220-2

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 4.00 A -

输出电流 - ≤4.00 A -

正向电压 1.7 V 1.7 V 1.7V @6A

极性 - Standard -

正向电流 4 A 4 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 32 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -

额定功率 42 W - 63 W

负载电流 4 A - 6 A

热阻 - - 2.4℃/W (RθJC)

反向恢复时间 - - 0 ns

正向电压(Max) - - 1.7V @6A

耗散功率 42 W - -

长度 - 9.9 mm -

宽度 - 4.4 mm -

高度 - 9.2 mm -

封装 TO-220-2 TO-220 TO-220-2

工作温度 55℃ ~ 175℃ 55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC Contains SVHC No SVHC

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台