FDC855N和RSQ020N03TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDC855N RSQ020N03TR PMN40LN,135

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC855N  晶体管, MOSFET, N沟道, 6.1 A, 30 V, 0.0207 ohm, 10 V, 2 VTSMT N-CH 30V 2ANXP  PMN40LN,135  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-457

针脚数 6 - 6

漏源极电阻 0.0207 Ω - 0.032 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 1.6 W 125 W 1.75 W

阈值电压 2 V - 1.5 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 6.1A 2A 5.40 A

上升时间 2 ns 9 ns 7 ns

输入电容(Ciss) 655pF @15V(Vds) 110pF @10V(Vds) 555pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 800 mW 1.25 W 1.75 W

下降时间 2 ns 4 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 600mW (Ta) 1.75W (Tc)

长度 3 mm - 3.1 mm

宽度 1.7 mm - 1.7 mm

高度 1 mm - 1 mm

封装 TSOT-23-6 TSOT-23-6 SOT-457

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司