对比图
型号 IPB080N03LGATMA1 IPB096N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1
描述 D2PAK N-CH 30V 50AD2PAK N-CH 30V 35AINFINEON IPD090N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 30 V, 0.0075 ohm, 10 V, 2.2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-2 TO-252-3
引脚数 3 - 3
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 47 W 42W (Tc) 42 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 50A 35A 40A
输入电容(Ciss) 1900pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds) 1600pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 47W (Tc) 42W (Tc) 42W (Tc)
额定功率 47 W - 42 W
通道数 1 - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.0067 Ω - 0.0075 Ω
阈值电压 1 V - 2.2 V
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
封装 TO-263-3 TO-263-2 TO-252-3
宽度 9.25 mm - 6.22 mm
长度 10 mm - -
高度 4.4 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17