BC337-040G和BC337-40RL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC337-040G BC337-40RL1G BC337-40ZL1G

描述 放大器晶体管 Amplifier Transistors放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconON SEMICONDUCTOR  BC337-40ZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 210 MHz 210 MHz 210 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 800 mA 100 mA 800 mA

输出电压 - ≤9.00 V -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.625 W 0.625 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 250

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 5.2 mm - 5.2 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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