对比图
型号 CSD19531Q5A FDMS86101DC CSD19531Q5AT
描述 TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5A 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5AT 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-FET-8 DualCool-56-8 VSON-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0053 Ω - 0.0053 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 3.3 W 3.2 W 125 W
阈值电压 2.7 V - 2.7 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 100A 14.5A 100A
上升时间 5.8 ns 8.2 ns 5.8 ns
输入电容(Ciss) 3870pF @50V(Vds) 3135pF @50V(Vds) 2980pF @50V(Vds)
下降时间 5.2 ns 5.5 ns 5.2 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 3.2W (Ta), 125W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc)
额定功率(Max) - 3.2 W -
长度 - 5 mm 6.1 mm
宽度 - 6 mm 5 mm
高度 - 1.05 mm 1.1 mm
封装 VSON-FET-8 DualCool-56-8 VSON-8
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15