对比图
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道PowerTrench MOSFET的100V ， 61A ， 16mз N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mз
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 60.0 V 100 V
额定电流 - 50.0 A 61.0 A
漏源极电阻 24 mΩ 0.015 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 120 W 30 W 150 W
阈值电压 - 3 V 4 V
输入电容 - - 2.88 nF
栅电荷 - - 41.0 nC
漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 60.0 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 44.0 A 50.0 A 61.0 A
上升时间 59 ns 50 ns 85 ns
输入电容(Ciss) 1710pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 120 W 110 W 150 W
下降时间 44 ns 15 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 120W (Tc) 110W (Tc) 150W (Tc)
额定功率 - 110 W -
通道数 1 1 -
针脚数 - 3 -
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 9.65 mm 4.6 mm -
高度 4.83 mm 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99