对比图
型号 CSD17553Q5A CSD17555Q5A FDMS7660
描述 N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD17553Q5A30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET、CSD17555Q5AMOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-FET-8 VSON-FET-8 Power-56-8
漏源极电阻 4 mΩ - 0.0019 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 3.1 W 3 W 2.5 W
阈值电压 1.5 V - 1.9 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 23.5A 24A 25A
上升时间 17 ns 18 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 3252pF @15V(Vds) 4650pF @15V(Vds) 5565pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 3.1 W 3 W 2.5 W
下降时间 5.2 ns 5.3 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.1W (Ta) 3W (Ta) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 30 V - -
长度 5.8 mm 6 mm 5 mm
宽度 5 mm 4.9 mm 6 mm
高度 1.1 mm 1 mm 1.05 mm
封装 VSON-FET-8 VSON-FET-8 Power-56-8
材质 - Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 正在供货 Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15