对比图
型号 FDS9435A TPS1100DR STS5PF30L
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS9435A 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.3 A, -30 V, 0.042 ohm, -10 V, -1.7 V单P沟道增强型MOSFET SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFETSP 沟道 STripFET™ 功率 MOSFET，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
通道数 1 1 -
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 2.5 W 0.791 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 15 V 30 V
连续漏极电流(Ids) -5.30 A 1.6A 5.00 A
上升时间 13 ns 10 ns 35 ns
额定功率(Max) 1 W 791 mW 2.5 W
下降时间 9 ns 2 ns 35 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 125 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 791mW (Ta) 2500 mW
额定电压(DC) -30.0 V - -30.0 V
额定电流 -5.30 A - -5.00 A
漏源极电阻 0.042 Ω - 0.045 Ω
阈值电压 - - 1.6 V
漏源击穿电压 30 V - 30.0 V
栅源击穿电压 ±25.0 V - ±16.0 V
输入电容(Ciss) 528pF @15V(Vds) - 1350pF @25V(Vds)
针脚数 8 - -
输入电容 528 pF - -
栅电荷 10.0 nC - -
长度 5 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 4 mm 3.91 mm 4 mm
高度 1.5 mm 1.75 mm 1.25 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -