FDS6892A和FDS9926A

对比图

型号 FDS6892A FDS9926A SI9926CDY-T1-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6892A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7.5 A, 20 V, 18 mohm, 4.5 V, 900 mVFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9926A  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 VVISHAY  SI9926CDY-T1-GE3  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 8 A, 20 V, 0.015 ohm, 4.5 V, 1.5 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 NSOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V -

额定电流 7.50 A 6.50 A -

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 8

漏源极电阻 18 mΩ 0.025 Ω 0.015 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 3.1 W

阈值电压 900 mV 1 V 1.5 V

输入电容 1.33 nF 650 pF -

栅电荷 12.0 nC 6.20 nC -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V 20 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V ±10.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.50 A 6.50 A 8.00 A

上升时间 15 ns 9 ns -

输入电容(Ciss) 1333pF @10V(Vds) 650pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) 900 mW 900 mW -

下降时间 9 ns 4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2 W 2000 mW -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 NSOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

香港进出口证 - NLR -