IRLR2905TRPBF和STD20NF06LT4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR2905TRPBF STD20NF06LT4 STD25NF10T4

描述 N沟道,55V,42A,27mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STD20NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS  STD25NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V 100 V

额定电流 42.0 A 24.0 A 25.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.04 Ω 0.032 Ω 0.033 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 60 W 100 W

阈值电压 - 2.5 V 3 V

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 100 V

漏源击穿电压 55 V 60.0 V 100 V

栅源击穿电压 - ±18.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 36.0 A, 42.0 A 24.0 A 12.5 A

上升时间 84.0 ns 50 ns 60 ns

输入电容(Ciss) 1700pF @25V(Vds) 660pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 60 W 100 W

下降时间 - 12 ns 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 60W (Tc) 100W (Tc)

产品系列 IRLR2905 - -

输入电容 1700pF @25V - -

长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm

宽度 - 6.2 mm 6.2 mm

高度 2.39 mm 2.4 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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