对比图
描述 互补硅大功率晶体管 Complementary Silicon High−Power TransistorsON SEMICONDUCTOR TIP101G 达林顿双极晶体管NPN 功率晶体管，ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 2
封装 TO-3 TO-220-3 TO-204-2
频率 - - 4 MHz
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V
额定电流 25.0 A 8.00 A 25.0 A
额定功率 - - 200 W
针脚数 - 3 2
极性 N-Channel NPN NPN
耗散功率 200 W 80 W 200 W
击穿电压(集电极-发射极) 80.0 V 80 V 80 V
热阻 - - 0.875℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 25A 8A 25A
最小电流放大倍数(hFE) 20 1000 @3A, 4V 20 @10A, 4V
最大电流放大倍数(hFE) 100 20000 100
额定功率(Max) - 2 W 200 W
直流电流增益(hFE) - 20 4
工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 2000 mW 200000 mW
长度 - 10.53 mm 39.37 mm
宽度 - 4.83 mm 26.67 mm
高度 - 15.75 mm 8.51 mm
封装 TO-3 TO-220-3 TO-204-2
材质 Silicon - Silicon
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tray Tube Tray
最小包装 100 - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2016/06/20
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99