IPB091N06NG和IPB80N06S3L-05

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB091N06NG IPB80N06S3L-05 STU60N55F3

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-251-3

额定电压(DC) 60.0 V 55.0 V -

额定电流 80.0 A 80.0 A -

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 188 W 165W (Tc) 110 W

输入电容 2.80 nF 7.77 nF -

栅电荷 81.0 nC 170 nC -

漏源极电压(Vds) 60.0 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 32.0 A

上升时间 29 ns 49 ns 50 ns

输入电容(Ciss) - 13060pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 165 W 110 W

下降时间 28 ns 41 ns 11.5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 165W (Tc) 110W (Tc)

通道数 1 - 1

漏源极电阻 8.8 Ω - 0.0065 Ω

阈值电压 - - 4 V

漏源击穿电压 60 V - 55 V

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-251-3

长度 10 mm - 6.6 mm

宽度 9.25 mm - 2.4 mm

高度 4.4 mm - 6.2 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台