对比图
型号 IPB091N06NG IPB80N06S3L-05 STU60N55F3
描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-TransistorN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-251-3
额定电压(DC) 60.0 V 55.0 V -
额定电流 80.0 A 80.0 A -
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 188 W 165W (Tc) 110 W
输入电容 2.80 nF 7.77 nF -
栅电荷 81.0 nC 170 nC -
漏源极电压(Vds) 60.0 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 32.0 A
上升时间 29 ns 49 ns 50 ns
输入电容(Ciss) - 13060pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 165 W 110 W
下降时间 28 ns 41 ns 11.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) - 165W (Tc) 110W (Tc)
通道数 1 - 1
漏源极电阻 8.8 Ω - 0.0065 Ω
阈值电压 - - 4 V
漏源击穿电压 60 V - 55 V
封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-251-3
长度 10 mm - 6.6 mm
宽度 9.25 mm - 2.4 mm
高度 4.4 mm - 6.2 mm
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17