对比图
型号 IPA50R350CP SIHA12N50E-E3 IPA50R399CP
描述 CoolMOSTM功率晶体管 CoolMOSTM Power TransistorVISHAY SIHA12N50E-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.5 A, 500 V, 0.33 ohm, 10 V, 4 VINFINEON IPA50R399CP 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 550 V, 399 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 1
漏源极电阻 0.35 Ω 0.33 Ω 399 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 32 W 32 W 83 W
阈值电压 3 V 4 V 3 V
漏源极电压(Vds) 550 V 500 V 550 V
漏源击穿电压 500 V 550 V -
连续漏极电流(Ids) 10.0 A - 9.00 A
上升时间 14 ns 16 ns 14 ns
下降时间 12 ns 12 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 3 3
输入电容(Ciss) - - 890pF @100V(Vds)
耗散功率(Max) - - 83000 mW
长度 10.65 mm 10.41 mm 10.65 mm
宽度 4.85 mm 4.7 mm 4.85 mm
高度 16.15 mm 15.49 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown - Obsolete
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17